光刻机的制造难度主要在于三大关键设备：光源、双工件台、光刻机镜头。
光源方面，毫无疑问z国的世界最强的那个，这个结论从激光武器z国明显领先m国便能得出。
一个小小的光刻机光源，完全难不倒z国的科研人员。
双工件台就不太容易了，据说asml研发的基于磁悬浮平面电机的双工件台产品，其掩模台的运动控制精度做到了2纳米，大大提升了芯片加工的精度和效率。
如此先进的双工件台，外国专家曾傲慢地说：“全世界没有第二家机构能做出来。”
然而仅仅过去五年不到，z国菁华大学的一个科研团队，研制的运动精度控制在2纳米左右的双工件台，成功通过了整机验收。
关键技术指标达到了国际同类光刻机双工件台技术水平。
双工件台也被z国人攻克了。
最后就是光刻机镜头，近些年z国光学镜头领域进步飞速，甚至有家民用卫星公司制造的光学卫星，分辨率都达到了1米、0.5米，地面的航母、军舰、车辆一览无余，甚至可以拍摄正在起飞的飞机，拍摄火箭发射画面，清晰度令人吃惊。
民用光学卫星的表现已如此夸张，军用当然更不得了。
这反映出的，是z国在光学镜头领域的进步。
光刻机镜头自然也难不倒z国的科研人员。
所以光源、双工件台、光刻机镜头这三大用于制造光刻机的核心设备，z国已全部掌握。
这正是asml公司放开对z国光刻机销售的原因……严厉的封锁，光刻机领域，只会导致z国以更快速度取得突破。
兔子被逼急了，会要你的命。
而z国的光刻机至今没有赶上国外最先进水平，一方面是市场份额被人牢牢把控；其次走相同的技术路线，会不可避免地侵犯到asml的知识产权，引发专利官司。
再加上一些关键设备的禁售。
国产光刻机的发展始终不温不火。
即便如此，为了绕开国外的专利壁垒，z科院光电所另辟蹊径，研制了一款全新的光刻机——
超分辨纳米光刻机。
这种光刻机采用了与传统光刻设备完全不同的技术路线，利用365纳米波长的近紫外光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用于制造10~9纳米级别的芯片。
而这款光刻设备，使用的是波长更长、更普通的紫外光，在普通环境下便能完成光刻，意味着国产光刻机使用低成本光源，实现了更高分辨力的光刻。
制造成本只有asml公司光刻机的几分之一，乃至十几分之一。
技术原理层面的突破，更是相当于别人在开山修路的时候，你打通了一条隧道。
不过超分辨纳米光刻机虽好，却也存在一个较为严重的缺陷。
那就是曝光时间过长。
尤其实在芯片领域，euv光刻机曝光15秒便能完成的任务，超分辨光刻机需要十多天。
更加形象的比喻是，传统光刻机是直接拍出一张照片，超分辨光刻则是拿一支笔，慢慢画出一张图片……效率差别巨大。