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原本就是电子工业行业内专家级人物，又从二十一世纪重生而来谭振华，非常清楚电子工业，特别是半导体工业水平对未来世界的重要性，可以毫不夸张地说，半导体工业水平的高低，能根本性地影响甚至决定一个国家在整个世界中扮演的角色。
从某种意义上甚至可以认为，所谓的“全球霸权”，必然建立在“科技霸权”的基础之上，而“半导体霸权”则是“科技霸权”最重要的一块基石！
有同学肯定不服气，说谭二这个观点偏激，除了半导体以外，材料学、基础物理、生物学、化工等等也都很重要，都是人类现代社会的基石，凭什么说“科技霸权”的基础是“半导体霸权”啊？
这当然是因为，科技发展到了二十世纪下半叶之后，随着人类对自然认识研究的深入，再也难以涌现出某个天才凭一己之力、一个科技发明成果就能推动整个人类社会进步的案例了，绝大多数的科研成果，都需要众多的科研工作者协同在一起，进行大量的研究和科学实验才能积累出某个方向上的突破，而不管是从事哪一行的研究，现代化的仪器仪表都是不可或缺的，对获得的各种数据进行分析比对也是最基础的工作。
这也就决定了，无论你现在研究什么行业哪种尖端科技，都离不开半导体行业为你提供的各种先进仪器仪表、各种传感器、大算力的计算机、先进的数据传输及分析手段等等等等的帮助。
说白一点，半导体产业落后的国家，将很快丧失与其他先进国家竞争的能力，不管他之前的积累有多厚实都没用。
不信？请看在这方面点歪了科技树的苏俄以及之后的主要遗产继承者大毛子罗斯国每况愈下的状态就知道了。
其实不但谭振华知道这一点，华夏电子行业当前的主要领导者们也非常清楚这一点，在各大部委中，电子部也一向是对最新科技追求最为激进的部委，在谭振华前世的历史上，他们只是疏忽了两点——第一是知识产权会在这其中发挥的重要作用；第二则是关键制造设备会被人拿捏住要害；以至于华夏后来追赶的时候，被无数的专利壁垒及关键设备的进口禁令束缚住了手脚，步履艰难。
不过即便如此，华夏依然是全球后冷战时代“一超多强”格局中，最强的那个“强”，也是唯一能与那“一超”正面抗衡的那个“强”，并且正以极高的加速度逼近那个“一超”。
而谭振华今天将与电子部展开的一系列合作，其最终目的，就是为了补齐前世因为各种原因而造成的这些短板。
与同学们设想的不同，1986年，华夏此时的半导体工业水平并没有落后国际先进水平很多，如果一定要以时间为单位来进行衡量的话，不到十年。
不信？我们可以透视一下历史。
1947年，人类历史上第一支半导体晶体管在著名的贝尔实验室诞生，1949年11月，巴黎统筹委员会成立，新华夏被列入主要高技术出口受限国，首期被列入禁运清单上的军事武器装备、尖端技术产品和稀有物资共计三大类上万种产品，半导体器件及生产设备当然名列其上。
从1950年开始，大量华夏留学人员在祖国的召唤下开始纷纷回国积极投身祖国建设，在这其中，就有华夏半导体事业的先驱和奠基人之一、巾帼英雄谢希德院士；华夏固体和半导体物理学奠基人之一，黄昆院士——顺便说一句，这位黄院士有一位名叫杨震吟的同学；有半导体电子学的开拓者与推动者，半导体电子学界的经典著作《Transistor Electronics》一书的作者，成众志高级研究员；有华夏半导体材料科学的奠基人和开拓者、“华夏太空材料之母”，林兰英院士……
1956年，华夏发出了“向科学进军”的伟大号召，鼓舞着所有的科研工作者们努力向科学的高峰攀登，而在这一批先驱者的带领下，新华夏的半导体事业真正的从零开始起步，从无到有，逐渐建设起了自己的产业。
同年11月，第一支具有完整的pn结特性、具有pnp结型晶体三极管的标准放大特性的锗合金结晶体三极管在华夏科学院物理研究所半导体器件实验室诞生，这一划时代的科技成果宣告了华夏也已经踏入了半导体时代的门槛。
1957年，米国历史上最有影响的半导体公司仙童成立；同年，京城电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶；华夏科学院物理研究所半导体研究室和二机部第11研究所第4研究室开发成功锗合金扩散晶体管，该研究室历经发展，现在的名称是电子部第4013研究所，也是电子部南北两大半导体器件研究所中的“北所”。
1958年，德州仪器和仙童几乎同时发明了集成电路，同年，华夏为研制高技术专用109计算机成立了全国首家半导体器件生产厂 “109厂”，华夏自此拥有了半导体器件和集成电路研制生产中试厂。
还是在这一年，电子部第4055研究所，也就是谭振华老妈的工作单位在宁都创立，开始了半导体微波器件的研制探索，4055所，也就是电子部南北两大半导体器件研究所中的“南所”。
1959年9月15日， “601试验所”（后发展为电子部第4046研究所）成功拉出华夏首颗硅单晶，使华夏成为继米国、苏俄之后，第三个可以自己拉制硅单晶的国家；还是在这一年，华夏首次用四氯化硅氢还原法制成了纯度高达99.9999999%，史称“九个九”的高纯度多晶硅，拉出了第一根钨丝区熔单晶硅。
1962年，米国制成了全球第一支半导体激光器；华夏拉制出砷化镓（GaAs）单晶，为研究制备化合物半导体器件建立了基础，也为华夏研制大功率微波半导体器件打下了第一根桩；还是在这一年，华夏研究制成硅外延工艺，并开始采用照相制版、光刻工艺。
1963年，华夏研制成功第一支半导体激光器，是全球第二个具备这种能力的国家——仅仅比米国晚了一年。
1965年，华夏研制成功第一个硅基集成电路样品GT31，这块芯片上集成了7个晶体管、1个二极管、7个电阻、6个电容，相比米国晚7年。
1966年，109厂与魔都光学仪器厂协作，研制成功第一台65型接触式光刻机，这与米国的GCA公司几乎同时。
也在这一年，IBM公司托马斯·沃森研究中心的研究人员，时年34岁的罗伯特·登纳德博士提出了用金属氧化物半导体（MOS）晶体管，来制作存储器芯片的设想，同年研发成功1T/1C结构（一个晶体管加一个电容）的DRAM，并在1968年获得专利。1968年仙童半导体推出首个256bit DRAM；1969年先进内存系统公司正式推出全球首款1K DRAM。
还是在这一年，华夏科学院半导体研究所制作出第一支硅MOS场效应晶体管；在江南省，南通晶体管厂成立，并在经过50多年的发展后，成长为国际半导体芯片行业封测巨头之一，也就是后来的通富微电，上市后股票代码002156。
1968年，从仙童出走的“三巨头”创立了英特尔公司，如果没有谭振华的乱入，它将成长为全球最大的，同时具备设计和生产半导体芯片能力的科技巨擘；而在华夏的这一年，魔都无线电十四厂研制成功首个PMOS电路（MOS IC），拉开了华夏发展MOS电路的序幕，还是在这一年，华夏永川半导体研究所正式成立，这是华夏唯一的模拟集成电路研究所，后来，这家研究所发展成为电子部4024研究所。
1969年，华夏国营永红器材厂（749厂）成立，1995年整体调迁至天水，多年后，它将成长为另一家国际封测巨头，也就是华天科技，上市后股票代码002185。
1970年，英特尔公司推出首款可大规模生产的1K DRAM芯片C1103，使得1bit只要1美分，从此开创了DRAM时代。也是在这一年，华夏集成电路产业年产量首次超过100万块，这比米国进入这一个数字仅仅晚了6年。
1972年，江阴晶体管厂成立，这家企业今后也将成长为芯片封测行业的国际巨头，也就是长电科技，上市后股票代码600584。
如果按照谭振华重生那年的市占率来算，长电科技、华天科技、通富微电三家相加，已经占据了全球芯片封测市场接近20%的份额，其中市占率最高的长电科技排名全球第三，市占率11.8%，可见华夏在芯片领域，至少在这一块业务上并不落后。
1974年，华夏为发展大规模集成电路（LSI），在京城召开了第一次全国性会议，研讨发展思路；也是在这一年，南高丽三星电子正式进军半导体行业。
由此可见，至少到这个时间点之前，华夏的半导体水平，比之南高丽要遥遥领先。
1975年，华夏完成了硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS三种技术方案，109厂随即采用硅栅NMOS技术，试制成功第一块1K DRAM，相比米国英特尔研制的C1103要晚五年。